Matrice à diodes TVS STMicroelectronics Bi-directionnel, 6 broches SOT-666
- Code commande RS:
- 239-6255P
- Référence fabricant:
- ESDA25-4BP6
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 20 - 90 | 0,269 € |
| 100 - 240 | 0,263 € |
| 250 - 490 | 0,257 € |
| 500 + | 0,253 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 239-6255P
- Référence fabricant:
- ESDA25-4BP6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Matrice à diodes TVS | |
| Type de direction | Bi-directionnel | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 25V | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | SOT-666 | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | IEC, RoHS | |
| Longueur | 1.7mm | |
| Hauteur | 1.7mm | |
| Série | ESDA25-4BP6 | |
| Courant de fuite inverse maximum | 500nA | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Matrice à diodes TVS | ||
Type de direction Bi-directionnel | ||
Tension de claquage minimum Vbr 25V | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier SOT-666 | ||
Nombre de broches 6 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Protection ESD Oui | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations IEC, RoHS | ||
Longueur 1.7mm | ||
Hauteur 1.7mm | ||
Série ESDA25-4BP6 | ||
Courant de fuite inverse maximum 500nA | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le réseau monolithique STMicroelectronics est conçu pour protéger jusqu'à 5 lignes contre les transitoires ESD. Ce dispositif est idéal lorsque l'espace sur la carte et la capacité de ligne réduite sont nécessaires.
Haut niveau de protection antistatique
Intégration élevée
Adapté pour les cartes haute densité
Faible courant de fuite < 1 μA