Matrice à diodes TVS STMicroelectronics Uni-Directionnel, 3 broches SOT-23-3L
- Code commande RS:
- 239-6263P
- Référence fabricant:
- ESDA6V1LY
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 239-6263P
- Référence fabricant:
- ESDA6V1LY
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Type de produit | Matrice à diodes TVS | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 6.1V | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | SOT-23-3L | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension de pincement VC | 16V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Hauteur | 3mm | |
| Normes/homologations | IEC, RoHS | |
| Série | ESDA6V1LY | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Courant de fuite inverse maximum | 20μA | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Type de produit Matrice à diodes TVS | ||
Tension de claquage minimum Vbr 6.1V | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier SOT-23-3L | ||
Nombre de broches 3 | ||
Protection ESD Oui | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension de pincement VC 16V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 1.4mm | ||
Hauteur 3mm | ||
Normes/homologations IEC, RoHS | ||
Série ESDA6V1LY | ||
Longueur 3.04mm | ||
Courant de fuite inverse maximum 20μA | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le réseau de diodes STMicroelectronics est conçu pour protéger 1 ligne ou 2 lignes contre les transitoires ESD. Le dispositif est idéal pour les applications où une capacité de ligne réduite et un gain de place sur la carte sont nécessaires.
Certifié AEC-Q101
Double fonction de transmission unidirectionnelle
Faible courant de fuite - IR max. < 20 μA à VBR
Puissance d'impulsion Peak de 300 W 8 / 20 μs
Niveau de protection ESD élevé jusqu'à 25 kV
Intégration élevée
Adapté pour les cartes haute densité