Diode TVS ROHM, dissip. 200 W Uni-Directionnel 85 V PMDE
- Code commande RS:
- 246-4107P
- Référence fabricant:
- VS90VLNVWMTR
- Marque:
- ROHM
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 246-4107P
- Référence fabricant:
- VS90VLNVWMTR
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 104V | |
| Type de montage | Surface, Traversant | |
| Type de Boitier | PMDE | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 85V | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 200W | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de pincement VC | 146V | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 1.4A | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | VSxxVLNVWM | |
| Normes/homologations | IEC 61000-4-2 | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 2.3mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Courant de fuite inverse maximum | 0.1μA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Tension de claquage minimum Vbr 104V | ||
Type de montage Surface, Traversant | ||
Type de Boitier PMDE | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 85V | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 200W | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de pincement VC 146V | ||
Courant d'impulsion crête maximum 1.4A | ||
Protection ESD Oui | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série VSxxVLNVWM | ||
Normes/homologations IEC 61000-4-2 | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 2.3mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Courant de fuite inverse maximum 0.1μA | ||
La série Rohm VS est un suppresseur de tension transitoire qui est disponible dans un boîtier PMDE et est doté d'une structure planaire épitaxiale au silicium et peut être utilisé dans les applications de protection contre les surtensions et de régulation de tension.
Haute fiabilité.
Petit moule