double canaux Driver de puissance MOSFET, -400 mA, 650 mA Demi-pont, 8 broches SOIC Sans inversion Demi-pont

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : MY
Détail produit

Drivers de transistors IGBT et MOSFET, STMicroelectronics

Drivers de transistors IGBT et MOSFET, STMicroelectronics

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Nombre de drivers 2
Tension d'alimentation fonctionnement maximum 17 V
Topologie Demi-pont
Type de montage CMS
Courant de sortie crête -400 mA, 650 mA
Nombre de sorties 2
Polarité Sans inversion
Type de boîtier SOIC
Nombre de broches 8
Type de pont Demi-pont
Compatibilité de logique d'entrée CMOS, TTL
Dépendance High and Low Sides Synchrone
Longueur 5mm
Dimensions 5 x 4 x 1.5mm
Température de fonctionnement minimum -45 °C
Temps de montée 100ns
Temps de descente 80ns
Temporisation 300ns
Résistance à l'état passant 125Ω
Hauteur 1.5mm
Largeur 4mm
Température d'utilisation maximum +125 °C
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Prix pour l'unité (en bobine de 2500)
0,764
HT
0,917
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +
0,764 €
1 910,00 €
*Prix donné à titre indicatif