EEPROM, série I2C, 1 MB STMicroelectronics, 25 ns Surface, 8 broches SOIC

Voir l’ensemble des EEPROM
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

11,82 €

HT

14,185 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 12 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 452,364 €11,82 €
50 - 952,078 €10,39 €
100 - 2451,86 €9,30 €
250 - 9951,798 €8,99 €
1000 +1,67 €8,35 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
190-7655
Référence fabricant:
M95M01-DWMN3TP/K
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Taille de la mémoire

1Mo

Type de produit

EEPROM

Type d'interface

série I2C

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Fréquence d'horloge maximum

16MHz

Tension d'alimentation minimum

2.5V

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Nombre de bits par mot

8

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Série

M95M01

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Hauteur

1.75mm

Standard automobile

AEC-Q100

Rétention des données

100année

Temps d'accès aléatoire maximum

25ns

Nombre de mots

128

Courant d'alimentation

4mA

Compatible avec le bus d'interface périphérique série (SPI)

Matrice de mémoire

1 Mbit (128 ko) d'EEPROM

Taille de page : 256 octets

Protection en écriture par bloc : 1/4, 1/2 ou mémoire entière

Page verrouillable en écriture supplémentaire (page d'identification)

Plages de température et de tension étendues

Jusqu'à 125 °C (VCCde 2,5 à 5,5 V)

Jusqu'à 145 °C (VCCde 2,5 à 5,5 V)

Fréquence d'horloge haute vitesse

16 MHz pour Vcc ≥ 4,5 V.

10 MHz pour V c.c. ≥ 2,5 V.

Entrées de déclencheur Schmitt pour le filtrage du bruit

Durée de cycle d'écriture courte

Écriture d'octets en moins de 4 ms

Écriture de page en moins de 4 ms

Endurance du cycle d'écriture

4 millions de cycles d'écriture à 25 °C.

1,2 million de cycles d'écriture à 85 °C.

600 k cycles d'écriture à 125 °C.

400 k cycles d'écriture à 145 °C.

Conservation des données

50 ans à 125 °C.

100 ans à 25 °C.

Protection ESD

4 000 V

Boîtiers

Ne contient pas d'halogène

Nos clients ont également consulté