Circuit EEPROM, M95512-WMN6TP, 512Kbit, Série-SPI SO, 8 broches, 8bit

Les dispositifs M95512 sont des mémoires programmables électriquement effaçables (EEPROM) organisées en 65 536 x 8 bits, accessibles via le bus SPI.
Le M95512-W peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 2,5 à 5,5 V, le M95512-R peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,8 à 5,5 V et le M95512-DF peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,7 à 5,5 V, Sur une plage de températures ambiantes de -40 °C / +85 °C.

Compatible avec le bus d'interface périphérique série (SPI)
Matrice de mémoire
512 ko (64 ko) d'EEPROM
Taille de page : 128 octets
en écriture.
Écriture d'octets en moins de 5 ms
Écriture de page en 5 ms
Page verrouillable en écriture supplémentaire (page d'identification)
Protection en écriture : réseau de mémoire quart, demi ou entier
Horloge haute vitesse : 16 MHz
Tension d'alimentation simple :
2,5 à 5,5 V pour M95512-W.
1,8 à 5,5 V pour M95512-R.
1,7 à 5,5 V pour M95512-DF
Plage de températures d'utilisation de -40 °C à+85 °C
Protection ESD améliorée
Plus de 4 millions de cycles d'écriture
Conservation des données pendant plus de 20 ans
Boîtiers :
SO8
TSSOP8
UFDFPN8
WLCSP