Mémoire EEPROM en série, 25AA256-I/P, 256Kbit, Série-SPI DFN, PDIP, SOIC, TSSOP, 8 broches, 8bit
- Code commande RS:
- 197-6049
- Référence fabricant:
- 25AA256-I/P
- Marque:
- Microchip
290 En stock pour livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (en tube de 60)
1,485 €
HT
1,782 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
---|---|---|
60 - 60 | 1,485 € | 89,10 € |
120 + | 1,448 € | 86,88 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 197-6049
- Référence fabricant:
- 25AA256-I/P
- Marque:
- Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Microchip 25AA256-I/P est un PROM électriquement effaçable série 256 kbits. L'accès à la mémoire s'effectue à l'aide d'un simple bus série compatible SPI (Serial Peripheral Interface). Les signaux de bus nécessaires sont une entrée d'horloge (SCK) et des lignes de données d'entrée (SI) et de sortie (SO) séparées. L'accès à l'appareil est contrôlé par le biais d'une entrée de sélection de circuit (CS). La communication avec l'appareil peut être suspendue grâce à la broche de maintien (HOLD).
Vitesse d'horloge maximale : 10 MHz
Technologie CMOS faible consommation : - Courant d'écriture max. : 5 mA à 5,5 V - Courant de lecture : 5 mA à 5,5 V, 10 MHz - Courant de veille : 1 μA à 5,5V
Cycles d'effacement et d'écriture à temporisation automatique (5 ms maximum)
Protection en écriture par bloc : protège 1/4, 1/2 ou la totalité de la matrice, ou ne la protège pas
Protection en écriture intégrée : circuit de protection des données à la mise sous/hors tension, verrouillage de l'accès en écriture, broche de protection d'écriture
Lecture séquentielle
Haute fiabilité : - Endurance : 1 000 000 cycles d'effacement/écriture, - rétention de données :> 200 ans, - protection ESD :> 4 000 V.
Plages de température prises en charge :
Certifié AEC-Q100 pour l'automobile
Technologie CMOS faible consommation : - Courant d'écriture max. : 5 mA à 5,5 V - Courant de lecture : 5 mA à 5,5 V, 10 MHz - Courant de veille : 1 μA à 5,5V
Cycles d'effacement et d'écriture à temporisation automatique (5 ms maximum)
Protection en écriture par bloc : protège 1/4, 1/2 ou la totalité de la matrice, ou ne la protège pas
Protection en écriture intégrée : circuit de protection des données à la mise sous/hors tension, verrouillage de l'accès en écriture, broche de protection d'écriture
Lecture séquentielle
Haute fiabilité : - Endurance : 1 000 000 cycles d'effacement/écriture, - rétention de données :> 200 ans, - protection ESD :> 4 000 V.
Plages de température prises en charge :
Certifié AEC-Q100 pour l'automobile
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Taille mémoire | 256Kbit |
Type d'interface | Série-SPI |
Type de boîtier | DFN, PDIP, SOIC, TSSOP |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 8 |
Configuration | 32K x 8 bits |
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 1,8 V |
Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 5,5 V |
Tension de programmation | 1.8 → 5.5V |
Nombre de bits par mot | 8bit |
Dimensions | 9.27 x 6.35 x 3.3mm |
Conservation des données | 200an |
Nombre de mots | 32k |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
Temps d'accès aléatoire maximum | 50ns |
Température d'utilisation maximum | +85 °C |
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