Série EEPROM, Série SPI, 512 kB Microchip, 50 ns Surface, 8 broches SOIC

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Code commande RS:
823-7663
Référence fabricant:
25LC512-E/SN
Marque:
Microchip
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Marque

Microchip

Type de produit

Série EEPROM

Taille de la mémoire

512kB

Type d'interface

Série SPI

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Fréquence d'horloge maximum

20MHz

Configuration

512k Bit

Tension d'alimentation minimum

2.5V

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Nombre de bits par mot

8

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Hauteur

1.75mm

Série

25LC512

Longueur

4.9mm

Largeur

6 mm

Normes/homologations

No

Nombre de mots

64K

Standard automobile

AEC-Q100

Courant d'alimentation

10mA

Temps d'accès aléatoire maximum

50ns

Rétention des données

200year

Pays d'origine :
TH

EEPROM série SPI 25AA512/25LC512


La famille de circuits 25AA512/25LC512 de Microchip se compose d'EEPROM série SPI de 32 kb, disponibles dans une variété de boîtiers, températures et alimentations. Elle intègre des fonctions d'effacement de page, secteur et circuit généralement associées aux produits à base de Flash.

L'interface de périphérique série (SPI) est utilisée pour fournir les signaux d'entrée d'horloge (SCK), d'entrée de données (SI) et de sortie de données (SI) nécessaires. Le fonctionnement de ces circuits peut être suspendu par le biais d'une broche HOLD permettant d'ignorer les entrées, à l'exception des interruptions de priorité plus élevée, définies par le biais de la broche de sélection de circuit (CS).

Caractéristiques


Vitesse d'horloge maximale de 20 MHz

Opérations d'écriture aux niveaux octet et page (5 ms maximum) : aucun effacement de page ou secteur nécessaire

Page de 128 octets

Courant d'écriture maximal : 5 mA à 5,5 V, 20 MHz

Courant de lecture : 10 mA à 5,5 V, 20 MHz

Courant de veille : 1 μA à 2,5 V (hibernation)

Signature électronique des ID de périphérique

Cycles d'effacement et d'écriture à temporisation automatique : effacement de page (5 ms typique), effacement de secteur (10 ms/secteur, typique) et effacement de masse (10 ms, typique)

Protection en écriture par secteur (16 ko/secteur) : protège 1/4, 1/2 de la matrice, la matrice entière ou ne la protège pas

Protection en écriture intégrée : circuit de protection des données à la mise sous/hors tension, verrouillage de l'accès en écriture, broche de protection d'écriture

Endurance : 1 000 000 de cycles d'effacement/écriture

Sauvegarde des données : >200 ans

Protection ESD : >4 000 V

EEPROM accès série - Microchip


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