IGBT STMicroelectronics, canal Type N, 14 A, 1200 V, 15 ns, 3 broches , TO-263, montage En surface
- Code commande RS:
- 151-940P
- Référence fabricant:
- STGB3NC120HDT4
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 245 | 1,922 € |
| 250 - 495 | 1,716 € |
| 500 + | 1,474 € |
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- Code commande RS:
- 151-940P
- Référence fabricant:
- STGB3NC120HDT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 14A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 75W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 15ns | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.8V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 16mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 14A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 75W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 15ns | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.8V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 16mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
L'IGBT de STMicroelectronics présente un excellent compromis entre les faibles pertes de conduction et les performances de commutation rapides. Il est conçu dans la technologie Power MESH combinée à une diode ultra-rapide haute tension.
Capacité haute tension
Vitesse élevée
Diode anti-parallèle de récupération ultra-rapide très souple