Module IGBT, MII200-12A4, , 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 7 broches, Série
- Code commande RS:
- 193-650
- Référence fabricant:
- MII200-12A4
- Marque:
- IXYS
Visuel non contractuel
Indisponible
RS n'aura plus ce produit en stock.
Proposition de remplacement
Ce produit n'est pas disponible actuellement. Voici notre produit de remplacement:
la pièce
564,56 €
HT
677,47 €
TTC
- Code commande RS:
- 193-650
- Référence fabricant:
- MII200-12A4
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 270 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Type de boîtier | Y3 DCB | |
| Configuration | Série | |
| Type de montage | Montage à visser | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Configuration du transistor | Série | |
| Dimensions | 110 x 62 x 30mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Courant continu de Collecteur maximum 270 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Type de boîtier Y3 DCB | ||
Configuration Série | ||
Type de montage Montage à visser | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 7 | ||
Configuration du transistor Série | ||
Dimensions 110 x 62 x 30mm | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Modules IGBT, IXYS
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.