Module IGBT, MDI200-12A4, , 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 7 broches, Simple

Retiré-e du marché
Code commande RS:
194-653
Référence fabricant:
MDI200-12A4
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Courant continu de Collecteur maximum

270 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1200 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Configuration

Simple

Type de boîtier

Y3 DCB

Type de montage

Montage panneau

Type de canal

N

Nombre de broches

7

Configuration du transistor

Simple

Dimensions

110 x 62 x 30mm

Température d'utilisation maximum

+150 °C

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Modules IGBT, IXYS



IGBT Discretes et modules, IXYS


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.