Module IGBT, SEMiX603GB12E4p, , 1,1 kA, 1200 V, SEMiX®3p, 11 broches, Série

Modules IGBT doubles de Semikron dans des boîtiers SEMiX® bas profil modernes pour les applications de contrôle puissance demi-pont. Ces modules utilisent des contacts à ressort ou insérés à force sans soudure permettant de monter directement une commande de grille sur le dessus du module, ce qui permet d'économiser de l'espace et d'assurer une plus grande fiabilité de connexion. Les applications classiques sont les variateurs inverseurs c.a., les ASI et les systèmes de soudage électronique et à énergie renouvelable.
Pour les modules de commande de grille insérés à force, voir 122-0385 à 122-0387

• Boîtier à montage sans soudure bas profil
• IGBT issu de la technologie Trenchgate
• VCE(sat) présente un coefficient de température positif
• Haute capacité de courant de court-circuit
• Broches insérées à force en tant que contacts auxiliaires
• Homologué UL

Modules IGBT, Semikron

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.