IGBT, HGT1S10N120BNST, , 80 A, 1200 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 124-1406
- Référence fabricant:
- HGT1S10N120BNST
- Marque:
- onsemi
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Prix pour l'unité (en bobine de 800)
1,984 €
HT
2,381 €
TTC
| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 800 + | 1,984 € | 1 587,20 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 124-1406
- Référence fabricant:
- HGT1S10N120BNST
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
IGBT discrets, 1 000 V et plus, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 298 W |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) |
| Type de montage | CMS |
| Type de canal | N |
| Nombre de broches | 3 |
| Vitesse de découpage | 1MHz |
| Configuration du transistor | Simple |
| Dimensions | 10.67 x 11.33 x 4.83mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |