Module IGBT, SKM300GB12E4, , 422 A, 1200 V, SEMITRANS3, 7 broches, Demi-pont

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125-1113
Référence fabricant:
SKM300GB12E4
Marque:
Semikron Danfoss
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Marque

Semikron Danfoss

Courant continu de Collecteur maximum

422 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1200 V

Tension Grille Emetteur maximum

20V

Nombre de transistors

2

Configuration

Double

Type de boîtier

SEMITRANS3

Type de montage

Montage à visser

Type de canal

N

Nombre de broches

7

Vitesse de découpage

12kHz

Configuration du transistor

Demi-pont

Dimensions

106.4 x 61.4 x 30.5mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Pays d'origine :
SK

Modules IGBT doubles


Une gamme de modules IGBT SEMITOP® de Semikron intégrant deux dispositifs IGBT (demi-pont) connectés en série. Les modules sont disponibles dans une large gamme de tensions et intensités nominales et sont adaptés à une variété d'applications de commutation d'alimentation telles que les entraînements de moteur inverseur c.a. et les alimentations sans interruption.

Boîtier SEMITOP® compact
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Base en cuivre isolé utilisant la technologie de cuivre à liaison directe


Modules IGBT, Semikron


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.