IGBT Non IXYSCanal-Type N, 105 A, 1200 V 50 kHz, 4 broches, SOT-227B Surface
- Code commande RS:
- 146-1762
- Référence fabricant:
- IXYN82N120C3H1
- Marque:
- IXYS
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 146-1762
- Référence fabricant:
- IXYN82N120C3H1
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 105A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500W | |
| Type de Boitier | SOT-227B | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Vitesse de découpage | 50kHz | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 3.2V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | GenX3TM | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Energie | 800mJ | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 105A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500W | ||
Type de Boitier SOT-227B | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 4 | ||
Vitesse de découpage 50kHz | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 3.2V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série GenX3TM | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Energie 800mJ | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- US
IGBT Discretes, IXYS série XPT
La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.
Forte densité de puissance et faible Vce(sat)
RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale
Capacité de court-circuit pendant 10 μs
Coefficient de température positive en tension à l'état passant
Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option
Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.