Module IGBT Non IXYSCanal-Type N, 90 A, 1200 V 30 kHz, 7 broches, Y4-M5 Surface

Voir l’ensemble des IGBT
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 boîte de 6 unités)*

407,718 €

HT

489,264 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 08 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
La Boite*
6 - 2467,953 €407,72 €
30 - 5462,108 €372,65 €
60 +60,613 €363,68 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
168-4475
Référence fabricant:
MII75-12A3
Marque:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Type de produit

Module IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

90A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

370W

Type de Boitier

Y4-M5

Type de montage

Surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

7

Vitesse de découpage

30kHz

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.7V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

150°C

Série

NPT

Normes/homologations

No

Hauteur

30mm

Largeur

34 mm

Longueur

94mm

Standard automobile

Non

Modules IGBT, IXYS


IGBT Discretes et modules, IXYS


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté