IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 80 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 168-7004
- Référence fabricant:
- STGW40V60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
73,50 €
HT
88,20 €
TTC
Ajouter 30 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 22 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,45 € | 73,50 € |
| 60 - 120 | 2,386 € | 71,58 € |
| 150 + | 2,327 € | 69,81 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-7004
- Référence fabricant:
- STGW40V60DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 80A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 283W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Hauteur | 20.15mm | |
| Largeur | 5.15 mm | |
| Série | V | |
| Normes/homologations | Lead free package | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 80A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 283W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 15.75mm | ||
Hauteur 20.15mm | ||
Largeur 5.15 mm | ||
Série V | ||
Normes/homologations Lead free package | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.