IGBT, STGW25S120DF3, , 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 168-8942
- Référence fabricant:
- STGW25S120DF3
- Marque:
- STMicroelectronics
En cours d'approvisionnement
Ajouté
Prix pour l'unité (en tube de 30)
6,119 €
HT
7,343 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 30 + | 6,119 € | 183,57 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 168-8942
- Référence fabricant:
- STGW25S120DF3
- Marque:
- STMicroelectronics
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 50 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 375 W |
| Type de boîtier | A-247 |
| Type de montage | Traversant |
| Type de canal | N |
| Nombre de broches | 3 |
| Configuration du transistor | Simple |
| Dimensions | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Capacité de grille | 1600pF |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Indice énergétique | 4.88mJ |
- Code commande RS:
- 168-8942
- Référence fabricant:
- STGW25S120DF3
- Marque:
- STMicroelectronics