IGBT, SI7489DP-T1-E3

Le transistor MOSFET SO-8 à canal P à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 100 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 41 mohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 83 W et d'un courant de drain continu de 28 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 V et 10 V respectivement. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• Sans halogène
Nouveau boîtier PowerPAK à faible résistance thermique avec profil bas de 1,07 mm
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
• PWM optimisé
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

• entraînements de moteur demi-pont
Convertisseurs abaisseurs non synchrones haute tension
• Commutateurs de charge

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21