MOSFET Vishay

Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-251-3 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 500 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 25 W. Il est doté d'une tension d'entraînement de 10 V. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Valeur nominale dV/dt dynamique
Commutation rapide
Composant sans halogène et plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Protection contre les avalanches répétitives

• Chargeurs de batterie
• Inverseurs
• Alimentations
Alimentation à découpage (SMPS)