IGBT STMicroelectronics, canal N, 50 A, 650 V, 1 MHz, 3 broches , À-247 LL, montage Traversant

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201-4418P
Référence fabricant:
STGWA30HP65FB2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum lc

50A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

167W

Type de Boitier

À-247 LL

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±30 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.1V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

21.1mm

Série

STG

Longueur

15.9mm

Hauteur

5.1mm

Standard automobile

Non

L'arrêt de champ de la grille de tranchée STMicroelectronics, 650 V, 30 A, IGBT haut débit série HB2 dans un boîtier à fils longs TO-247, est doté d'un coefficient de température VCE(sat) positif.

Courant de queue minimisé

Distribution de paramètres serrée

Résistance thermique faible

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