IGBT STMicroelectronicsCanal-Type N, 40 A, 650 V, 3 broches, TO-247 1
- Code commande RS:
- 202-5517P
- Référence fabricant:
- STGWA40H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 202-5517P
- Référence fabricant:
- STGWA40H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
L'IGBT haute vitesse de la série HB2 de STMicroelectronics représente une évolution de la structure d'arrêt de terrain de grille de tranchée propriétaire avancée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement du VCE(sat) à des valeurs de courant faibles, ainsi qu'en termes de réduction de l'énergie de commutation.
Distribution serrée des paramètres
Faible résistance thermique
Coefficient de température VCE(sat) positif