IGBT, STGWA50HP65FB2, , 86 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
204-3944P
Référence fabricant:
STGWA50HP65FB2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum

86 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

20V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum

272 W

Type de boîtier

A-247

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Simple

Pays d'origine :
CN
L'IGBT 650 V série HB2 de STMicroelectronics représente une évolution de la structure d'arrêt de champ propriétaire Advanced Trench Gate. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite. Une diode utilisée à des fins de protection est uniquement co-emballée en parallèle avec l'IGBT. Le résultat est un produit spécialement conçu pour maximiser l'efficacité pour une large gamme d'applications rapides.

Température de jonction maximale de 175 °C.
Diode de protection coemballée
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Coefficient de température positif