IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 50 A, 650 V 1 MHz, 3 broches, TO-263 Surface
- Code commande RS:
- 204-9868P
- Référence fabricant:
- STGB30H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 95 | 2,398 € |
| 100 - 245 | 1,92 € |
| 250 - 495 | 1,598 € |
| 500 + | 1,408 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 204-9868P
- Référence fabricant:
- STGB30H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 50A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 167W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.1V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | Trench Gate Field Stop | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 50A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 167W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.1V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Série Trench Gate Field Stop | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée