IGBT STMicroelectronics, 86 A, 650 V, 3 broches, TO-263 1

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Code commande RS:
204-9870
Référence fabricant:
STGB50H65FB2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum (lc)

86 A

Tension Collecteur Emetteur maximale(Vceo)

650 V

Nombre de broches

3

Type de Boitier

TO-263

Nombre de transistors

1

Tension maximale de l'émetteur de grille (VGEO)

20 V

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

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