IGBT STMicroelectronics, canal N, 40 A, 650 V, 1 MHz, 3 broches , TO-220FP, montage Traversant
- Code commande RS:
- 204-9872P
- Référence fabricant:
- STGF20H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 250 de plus pour économiser 10%
Consulter les options de prix de grosSous-total 50 unités (conditionné en tube)*
100,30 €
HT
120,35 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 25 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 50 - 245 | 2,006 € | - |
| 250 - 495 | 1,792 € | 10% |
| 500 + | 1,538 € | 23% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 204-9872P
- Référence fabricant:
- STGF20H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 45W | |
| Type de Boitier | TO-220FP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Série | STG | |
| Largeur | 16.4mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 45W | ||
Type de Boitier TO-220FP | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Série STG | ||
Largeur 16.4mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 10.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible