IGBT STMicroelectronics, 40 A, 650 V, 3 broches, TO-220 1
- Code commande RS:
- 204-9876P
- Référence fabricant:
- STGP20H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 204-9876P
- Référence fabricant:
- STGP20H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum (lc) | 40 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximale(Vceo) | 650 V | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille (VGEO) | 20 V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum (lc) 40 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximale(Vceo) 650 V | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille (VGEO) 20 V | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance