IGBT STMicroelectronics, 40 A, 650 V, 3 broches, TO-220 1
- Code commande RS:
- 204-9876P
- Référence fabricant:
- STGP20H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 204-9876P
- Référence fabricant:
- STGP20H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
- Pays d'origine :
- CN
La série IGBT 650 V HB2 de STMicroelectronics représente une évolution de la structure d'arrêt de terrain de porte de tranchée propriétaire avancée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement du VCE(sat) à des valeurs de courant faibles, ainsi qu'en termes de réduction de l'énergie de commutation.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C
Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ CI = 20 A
Diode encapsulée de récupération très rapide et souple
Courant de queue minimisé
Distribution serrée des paramètres
Faible résistance thermique