IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 60 A, 650 V 1 MHz, 4 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 206-8630P
- Référence fabricant:
- STGWA30IH65DF
- Marque:
- STMicroelectronics
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122,90 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 25 - 45 | 4,916 € |
| 50 - 120 | 4,788 € |
| 125 - 245 | 4,668 € |
| 250 + | 4,546 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 206-8630P
- Référence fabricant:
- STGWA30IH65DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 60A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 108W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.05V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Série | STG | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 60A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 108W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 4 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.05V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 15.9mm | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Série STG | ||
Standard automobile Non | ||
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
Conçu pour la commutation douce uniquement
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A.
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Diode à roue libre à faible chute, co-emballée
Coefficient de température VCE(sat) positif