Références fabricant

IPM onsemi, canal N, 5 A, 1.2 kV, 20 kHz, 39 broches , DIP, montage En surface

Code commande RS:: 221-6684
Référence fabricant:: NFAM0512L5BT
Marque:: onsemi

IPM onsemi, canal N, 5 A, 1.2 kV, 20 kHz, 39 broches , DIP, montage En surface

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Code commande RS:: 221-6684
Référence fabricant:: NFAM0512L5BT
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	IPM
	Type de canal	N
	Courant continu de Collecteur maximum (lc)	5 A
	Tension Collecteur Emetteur maximale(Vceo)	1.2 kV
	Vitesse de découpage	20 kHz
	Nombre de broches	39
	Type de Boitier	DIP
	Type de montage	En surface
	Standard automobile	Non
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	2.5 V
	Tension maximale de l'émetteur de grille (VGEO)	16.5 V
	Température d'utilisation maximum	150 °C
	Dissipation de puissance maximum (Pd)	59 W
	Température minimum de fonctionnemen	-40 °C
	Série	IPM
	Normes/homologations	UL1557

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit IPM
	Type de canal N
	Courant continu de Collecteur maximum (lc) 5 A
	Tension Collecteur Emetteur maximale(Vceo) 1.2 kV
	Vitesse de découpage 20 kHz
	Nombre de broches 39
	Type de Boitier DIP
	Type de montage En surface
	Standard automobile Non
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.5 V
	Tension maximale de l'émetteur de grille (VGEO) 16.5 V
	Température d'utilisation maximum 150 °C
	Dissipation de puissance maximum (Pd) 59 W
	Température minimum de fonctionnemen -40 °C
	Série IPM
	Normes/homologations UL1557

Datasheet - NFAM0512L5BT

The ON Semiconductor NFAM0512L5BT is a fully−integrated inverter power module consisting of an independent High side gate driver, LVIC, six IGBT’s and a temperature sensor (VTS and NTC Thermistor), suitable for driving permanent magnet synchronous (PMSM) motors, brushless DC (BLDC) motors and AC asynchronous motor.

Active Logic Interface

Built−in Under−voltage protection

Integrated bootstrap diodes and resistors

Separate low−side IGBT emitter connections for individual current sensing of each phase

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