IGBT STMicroelectronics, canal N, 150 A, 1.2 kV, 1 MHz, 3 broches , Max247, montage Traversant
- Code commande RS:
- 234-8894P
- Référence fabricant:
- STGYA75H120DF2
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
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- Code commande RS:
- 234-8894P
- Référence fabricant:
- STGYA75H120DF2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 150A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1.2kV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 750W | |
| Type de Boitier | Max247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.6V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 150A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1.2kV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 750W | ||
Type de Boitier Max247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.6V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le STMicroelectronics IGBT a été développé grâce à une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ de type tranchée. Ce dispositif fait partie de la série H des IGBT qui représentent un compromis parfait entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité des convertisseurs à haute fréquence de commutation. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution étroite de paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Température de jonction maximale TJ = 175 °C
5 μs de résistance aux courts-circuits
VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 75 A
Distribution étroite des paramètres
Coefficient de température VCE(sat) positif
Faible résistance thermique
Diode antiparallèle à récupération ultra rapide