Module IGBT, NXH020F120MNF1PTG, , Broches à pression F1-4PACK avec matériau d'interface thermique préappliqué (TIM)
- Code commande RS:
- 245-6958P
- Référence fabricant:
- NXH020F120MNF1PTG
- Marque:
- onsemi
Sous-total 1 unité (conditionné en plateau)*
119,61 €
HT
143,53 €
TTC
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 119,61 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 245-6958P
- Référence fabricant:
- NXH020F120MNF1PTG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Dissipation de puissance maximum | 119 W | |
| Nombre de transistors | 4 | |
| Type de boîtier | Broches à pression F1-4PACK avec matériau d'interface thermique préappliqué (TIM) (sans plomb et sans halogène) | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Dissipation de puissance maximum 119 W | ||
Nombre de transistors 4 | ||
Type de boîtier Broches à pression F1-4PACK avec matériau d'interface thermique préappliqué (TIM) (sans plomb et sans halogène) | ||
on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET est un module d'alimentation contenant un pont complet de MOSFET SiC 20 m/1200 V et une thermistance dans un boîtier F1.
Demi-pont MOSFET SiC 20 m/1 200 V.
Options de thermistance avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué
Broches à pression
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS
Options de thermistance avec matériau d'interface thermique préappliqué et sans TIM préappliqué
Broches à pression
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogénure et sont conformes à la directive RoHS