IGBT Non STMicroelectronics, 80 A, 650 V, 3 broches, TO-247
- Code commande RS:
- 261-5072P
- Référence fabricant:
- STGWA80H65DFBAG
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 5 - 9 | 5,62 € |
| 10 - 14 | 5,34 € |
| 15 - 19 | 5,08 € |
| 20 + | 4,82 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 261-5072P
- Référence fabricant:
- STGWA80H65DFBAG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 80A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 535W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 15V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 15.8mm | |
| Largeur | 21 mm | |
| Hauteur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | STGWA | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 80A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 535W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 15V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 15.8mm | ||
Largeur 21 mm | ||
Hauteur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Série STGWA | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
L'IGBT de STMicroelectronics est développé à l'aide d'une structure d'arrêt de terrain de grille de tranchée propriétaire avancée. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représente un compromis optimal entre la conduction et la perte de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence. En outre, le VCE(sat) légèrement positif le coefficient de température et la distribution de paramètres très étroite permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Certifié AEC-Q101
Série de commutation haute vitesse
La température de jonction maximale TJ est de 175 degrés C
Courant de fin de course minimisé
Distribution de paramètres étroite
Coefficient de température VCE(sat) positif
Diode antiparallèle souple et très rapide de récupération
