IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 10 A, 375 V 8 μs, 3 broches, TO-263 Surface
- Code commande RS:
- 686-8341P
- Référence fabricant:
- STGB10NB37LZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 10 - 18 | 4,445 € |
| 20 - 48 | 4,00 € |
| 50 - 98 | 3,605 € |
| 100 + | 3,425 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 686-8341P
- Référence fabricant:
- STGB10NB37LZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 10A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 375V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 8μs | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 12 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Longueur | 28.9mm | |
| Largeur | 10.4 mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 10A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 375V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 8μs | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 12 V | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.8V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Longueur 28.9mm | ||
Largeur 10.4 mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.