Module IGBT, VS-CPV362M4UPBF, 7.2 A 600 V, Canal-N IMS-2, 13 broches Triphasé

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Code commande RS:
700-4393
Référence fabricant:
VS-CPV362M4UPBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Courant continu de Collecteur maximum

7.2 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

600 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Type de boîtier

IMS-2

Configuration

Collecteur commun

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

13

Configuration du transistor

Triphasé

Dimensions

62.43 x 7.87 x 21.97mm

Température d'utilisation maximum

+150 °C

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Modules IGBT, Vishay


Les modules IGBT haute efficacité de Vishay sont fournis avec un choix de technologies IGBT PT, NPT et Trench. La gamme inclut des interrupteurs simples, des inverseurs, des choppers, des demi-ponts, ou en configurations personnalisées. Ces modules IGBT sont conçus pour être utilisés en tant qu'interrupteur principal dans les alimentations à découpage, les alimentations sans coupure, le soudage industriel, les entraînements de moteur et les systèmes de correction du facteur de puissance.

Applications typiques : convertisseurs élévateurs et abaisseurs de tension, les convertisseurs vers l'avant et doubles vers l'avant, les demi-ponts, les ponts complets (ponts en H) et les ponts triphasés.

Vaste gamme de formats de boîtier standard
Montage direct sur dissipateur thermique
Choix de technologies IGBT PT, NPT et Trench
IGBT Low-VCE(on)
Fréquence de commutation de 1 kHz à 150 kHz
Hautes performances contre les transitoires
Haute tension d'isolation jusqu'à 3 500 V
100 % sans plomb (Pb) et conforme à la directive RoHS
Résistance thermique faible
Plage de température de fonctionnement étendue (de -40 °C à +175 °C)


Module IGBT, Vishay


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.