Module IGBT, 7MBP75RA-120-55, , 75 A, 1200 V, P 610, 22 broches, Triphasé

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Code commande RS:
716-5612
Référence fabricant:
7MBP75RA-120-55
Marque:
Fuji Electric
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Marque

Fuji Electric

Courant continu de Collecteur maximum

75 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1200 V

Dissipation de puissance maximum

500 W

Configuration

Triphasé

Type de boîtier

P 610

Type de montage

Montage sur CI

Type de canal

N

Nombre de broches

22

Configuration du transistor

Triphasé

Dimensions

109 x 88 x 22mm

Température de fonctionnement minimum

-20 °C

Température d'utilisation maximum

+100 °C

Transistors bipolaires à porte isolée, Fuji Electric



IGBT Discretes et modules, Fuji Electric


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.