IGBT, IXGH48N60B3, , 280 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 791-7416P
- Référence fabricant:
- IXGH48N60B3
- Marque:
- IXYS
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total 10 unités (conditionné en tube)*
70,35 €
HT
84,42 €
TTC
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 10 - 28 | 7,035 € |
| 30 - 58 | 6,275 € |
| 60 - 118 | 5,755 € |
| 120 + | 5,225 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 791-7416P
- Référence fabricant:
- IXGH48N60B3
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 280 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 300 W | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 40kHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Courant continu de Collecteur maximum 280 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 300 W | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 40kHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 16.26 x 5.3 x 21.46mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
IGBT Discrétes, IXYS
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.