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IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 80 A, 650 V, 3 broches, TO-247 Traversant

Code commande RS:: 792-5795P
Référence fabricant:: STGW40H65DFB
Marque:: STMicroelectronics

IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 80 A, 650 V, 3 broches, TO-247 Traversant

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Code commande RS:: 792-5795P
Référence fabricant:: STGW40H65DFB
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Courant continu de Collecteur maximum lc	80A
	Type de produit	IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	650V
	Dissipation de puissance maximum Pd	283W
	Type de Boitier	TO-247
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	Type N
	Nombre de broches	3
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	2.3V
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Hauteur	20.15mm
	Série	H
	Normes/homologations	Lead (Pb) Free package, ECOPACK
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Courant continu de Collecteur maximum lc 80A
	Type de produit IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V
	Dissipation de puissance maximum Pd 283W
	Type de Boitier TO-247
	Type de montage Traversant
	Type de canal Type N
	Nombre de broches 3
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.3V
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Hauteur 20.15mm
	Série H
	Normes/homologations Lead (Pb) Free package, ECOPACK
	Standard automobile Non

STGW40H65DFB, STGWT40H65DFB, 650V, 40A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT Data Sheet

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics

IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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