IGBT, STGW80V60DF, , 120 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple

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792-5827
Référence fabricant:
STGW80V60DF
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum

120 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

600 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

469 W

Type de boîtier

A-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Simple

Dimensions

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics



IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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