IGBT, NGTG12N60TF1G, , 88 A (impulsion), 600 V, TO-3PF, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 801-6801
- Référence fabricant:
- NGTG12N60TF1G
- Marque:
- ON Semiconductor
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 801-6801
- Référence fabricant:
- NGTG12N60TF1G
- Marque:
- ON Semiconductor
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 88 A (impulsion) |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 54 W |
| Type de boîtier | TO-3PF |
| Type de montage | Traversant |
| Type de canal | N |
| Nombre de broches | 3 |
| Configuration du transistor | Simple |
| Dimensions | 15.5 x 5.5 x 26.5mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |