IGBT STMicroelectronicsCanal-Type N, 120 A, 650 V, 3 broches, TO-3P Traversant

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Code commande RS:
829-7145
Référence fabricant:
STGWT80H65FB
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

120A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Type de Boitier

TO-3P

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics


IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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