- Code commande RS:
- 864-8795
- Référence fabricant:
- FGA60N65SMD
- Marque:
- onsemi
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Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Courant continu de Collecteur maximum | 120 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V |
Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
Dissipation de puissance maximum | 600 W |
Type de boîtier | TO-3PN |
Type de montage | Traversant |
Type de canal | N |
Nombre de broches | 3 |
Configuration du transistor | Simple |
Dimensions | 15.8 x 5 x 20.1mm |
Température d'utilisation maximum | +175 °C |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
- Code commande RS:
- 864-8795
- Référence fabricant:
- FGA60N65SMD
- Marque:
- onsemi