IGBT, FGB20N60SFD, , 20 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple

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Code commande RS:
864-8798P
Référence fabricant:
FGB20N60SFD
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum

20 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

600 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

208 W

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Simple

Dimensions

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Température d'utilisation maximum

+150 °C

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor



Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.