- Code commande RS:
- 877-2879
- Référence fabricant:
- STGD5NB120SZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
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Prix pour l'unité (par multiple de 5)
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HT
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TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
5 - 20 | 1,926 € | 9,63 € |
25 - 45 | 1,828 € | 9,14 € |
50 - 120 | 1,648 € | 8,24 € |
125 - 245 | 1,482 € | 7,41 € |
250 + | 1,406 € | 7,03 € |
*Prix donné à titre indicatif |
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- 877-2879
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- STGD5NB120SZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Courant continu de Collecteur maximum | 10 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
Dissipation de puissance maximum | 75 W |
Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
Type de montage | CMS |
Type de canal | N |
Nombre de broches | 3 |
Configuration du transistor | Simple |
Dimensions | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Capacité de grille | 430pF |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Indice énergétique | 12.68mJ |
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- 877-2879
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- STGD5NB120SZT4
- Marque:
- STMicroelectronics