IGBT STMicroelectronics, canal Type N, 5 A, 1200 V, 690 ns, 3 broches , TO-252, montage En surface
- Code commande RS:
- 877-2879P
- Référence fabricant:
- STGD5NB120SZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 877-2879P
- Référence fabricant:
- STGD5NB120SZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 5A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 75W | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 690ns | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.2mm | |
| Série | H | |
| Normes/homologations | JEDEC JESD97, ECOPACK | |
| Longueur | 6.2mm | |
| Energie | 12.68mJ | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 5A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 75W | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 690ns | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.2mm | ||
Série H | ||
Normes/homologations JEDEC JESD97, ECOPACK | ||
Longueur 6.2mm | ||
Energie 12.68mJ | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.