IGBT, NGTB30N135IHR1WG, , 60 A, 1350 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 922-9550
- Référence fabricant:
- NGTB30N135IHR1WG
- Marque:
- ON Semiconductor
Indisponible
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- Code commande RS:
- 922-9550
- Référence fabricant:
- NGTB30N135IHR1WG
- Marque:
- ON Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ON Semiconductor | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 60 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1350 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 394 W | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 16.25 x 5.3 x 21.4mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Capacité de grille | 5530pF | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ON Semiconductor | ||
Courant continu de Collecteur maximum 60 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1350 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 394 W | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 16.25 x 5.3 x 21.4mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Capacité de grille 5530pF | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.