Mémoire flash, Parallèle NAND, 2 Go Alliance Memory 25 μs, 63 broches, FBGA

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

8,29 €

HT

9,948 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 210 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 +4,145 €8,29 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
665-374
Référence fabricant:
AS9F32G08SA-25BIN
Marque:
Alliance Memory
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Alliance Memory

Taille de la mémoire

2Go

Type de produit

Mémoire flash

Type d'interface

Parallèle

Type de Boitier

FBGA

Nombre de broches

63

Type de cellule

NAND

Tension d'alimentation minimum

1.7V

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

105°C

Hauteur

1mm

Longueur

11mm

Normes/homologations

ONFI 1.0, RoHS

Standard automobile

Non

Série

AS9Fxx

Temps d'accès aléatoire maximum

25μs

Nombre de bits par mot

16

Pays d'origine :
KR
La Flash NAND parallèle SLC 2 Go Alliance Memory est dotée d'une interface d'E/S x8 bits et fonctionne à partir d'une alimentation de 3,3 V c.c. Conçue dans un souci de rentabilité, sa structure de cellule NAND offre une solution efficace pour le stockage de masse à l'état solide. La mémoire est divisée en blocs effaçables indépendamment, ce qui permet de conserver les données valides pendant que les données anciennes sont effacées. Les commandes, les données et les adresses sont introduites de manière synchrone à l'aide des broches d'entrée CE, WE, RE, ALE et CLE. Un contrôleur de programmation/effacement intégré automatise toutes les opérations de programmation et d'effacement, y compris la répétition d'impulsions, la vérification interne et la marge de données. Les opérations de modification peuvent être sécurisées à l'aide de l'entrée WP pour empêcher les changements involontaires.

Programme Copy Back pour une copie rapide des données sans mise en mémoire tampon externe

Cache de mémoire tampon de lecture interne pour améliorer le débit de lecture

Interface simple avec microcontrôleur

Suppression de programme de lecture du registre d'état normal

Programme de protection des données matérielles Effacement verrouillé pendant les transitions d'alimentation

Nos clients ont également consulté