Mémoire flash, Parallèle Porte séparée, 1 Mo Microchip 70 ns, 32 broches, TSOP
- Code commande RS:
- 177-9668
- Référence fabricant:
- SST39VF010-70-4I-WHE
- Marque:
- Microchip
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 177-9668
- Référence fabricant:
- SST39VF010-70-4I-WHE
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Taille de la mémoire | 1Mo | |
| Type d'interface | Parallèle | |
| Type de Boitier | TSOP | |
| Nombre de broches | 32 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de cellule | Porte séparée | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Type de timing | Asynchrone | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Hauteur | 1.05mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Série | SST39 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 70ns | |
| Courant d'alimentation | 20mA | |
| Nombre de mots | 128k | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Taille de la mémoire 1Mo | ||
Type d'interface Parallèle | ||
Type de Boitier TSOP | ||
Nombre de broches 32 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de cellule Porte séparée | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Type de timing Asynchrone | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Hauteur 1.05mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 8.1mm | ||
Série SST39 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 70ns | ||
Courant d'alimentation 20mA | ||
Nombre de mots 128k | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- US
Le SST39VF010 est un CMOS Flash multi-usages (MPF) 128 ko x 8 fabriqué avec une technologie CMOS SuperFlash propriétaire SST hautes performances. La conception de cellules à grille fractionnée et l'injecteur de tunnellisation à oxyde épais permettent d'obtenir une meilleure fiabilité et capacité de fabrication qu'avec d'autres approches. Le SST39VF010 écrit (programmation ou effacement) avec une alimentation de 2,7 à 3,6 V.
Opérations de lecture et d'écriture à tension d'alimentation simple
Fiabilité supérieure
Faible consommation
Capacité d'effacement de secteur
Temps d'accès en lecture rapide
Adresse et données verrouillées
Effacement rapide et programme octet
Temps d'écriture automatique : génération de VPP interne
Détection de fin d'écriture : Toggle Bit - interrogation de données#
Compatibilité E/S CMOS