Mémoire flash, Parallèle NAND SLC, 1 Go Winbond 25 μs, 63 broches, VFBGA
- Code commande RS:
- 188-2549
- Référence fabricant:
- W29N01HVBINA
- Marque:
- Winbond
Indisponible
RS n'aura plus ce produit en stock.
- Code commande RS:
- 188-2549
- Référence fabricant:
- W29N01HVBINA
- Marque:
- Winbond
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | |
| Taille de la mémoire | 1Go | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Type d'interface | Parallèle | |
| Type de Boitier | VFBGA | |
| Nombre de broches | 63 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de cellule | NAND SLC | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 11.1mm | |
| Hauteur | 0.6mm | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Courant d'alimentation | 35mA | |
| Série | W29N01HVBINA | |
| Standard automobile | Non | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 25μs | |
| Nombre de mots | 128M | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Winbond | ||
Taille de la mémoire 1Go | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Type d'interface Parallèle | ||
Type de Boitier VFBGA | ||
Nombre de broches 63 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de cellule NAND SLC | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 11.1mm | ||
Hauteur 0.6mm | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Courant d'alimentation 35mA | ||
Série W29N01HVBINA | ||
Standard automobile Non | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 25μs | ||
Nombre de mots 128M | ||
Densité : 1 Gbit (solution à puce unique)
Vcc : 2,7 à 3,6 V.
Largeur du bus : x8
Température d'utilisation
Applications industrielles : -40 à +85 °C
Technologie SLC (Single-Level Cell).
Organisation
Densité : 1 Go/128 Mo
Taille de page
2 112 octets (2 048 + 64 octets)
Taille de bloc
64 pages (128 K + 4 K octets)
Hautes performances
Performances de lecture (max.)
Lecture aléatoire : 25 us
Cycle de lecture séquentiel : 25 ns
Performances d'effacement d'écriture
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)
Conservation des données pendant 10 ans
Jeu de commandes
Jeu de commandes NAND standard
Prise en charge de commandes supplémentaires
Copie arrière
Consommation électrique la plus faible
Lecture : 25 mA (typ. 3 V),
Programmation/effacement : 25 mA (typ. 3V),
Veille CMOS : 10 uA (typ.)
Emballage à gain de place
TSOP1 standard à 48 broches
VFBGA 48 billes
VFBGA 63 billes
Mémoire Flash NAND SLC 1 Gb avec taille de page 2 ko + 64 B.
Largeur de bus : x8
Lecture aléatoire : 25 us
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)