Mémoire flash, 1Gbit, 128M x 8 bits, Parallèle, VFBGA, 63 broches
- Code commande RS:
- 188-2794P
- Référence fabricant:
- W29N01HVBINF
- Marque:
- Winbond
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1,57 €
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1,88 €
TTC
| Unité | Prix par unité |
| 5 + | 1,57 € |
- Code commande RS:
- 188-2794P
- Référence fabricant:
- W29N01HVBINF
- Marque:
- Winbond
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- TW
Détail produit
Densité : 1 Gbit (solution à puce unique)
Vcc : 2,7 à 3,6 V.
Largeur du bus : x8
Température d'utilisation
Applications industrielles : -40 à +85 °C
Technologie SLC (Single-Level Cell).
Organisation
Densité : 1 Go/128 Mo
Taille de page
2 112 octets (2 048 + 64 octets)
Taille de bloc
64 pages (128 K + 4 K octets)
Hautes performances
Performances de lecture (max.)
Lecture aléatoire : 25 us
Cycle de lecture séquentiel : 25 ns
Performances d'effacement d'écriture
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)
Conservation des données pendant 10 ans
Jeu de commandes
Jeu de commandes NAND standard
Prise en charge de commandes supplémentaires
Copie arrière
Consommation électrique la plus faible
Lecture : 25 mA (typ. 3 V),
Programmation/effacement : 25 mA (typ. 3V),
Veille CMOS : 10 uA (typ.)
Emballage à gain de place
TSOP1 standard à 48 broches
VFBGA 48 billes
VFBGA 63 billes
Vcc : 2,7 à 3,6 V.
Largeur du bus : x8
Température d'utilisation
Applications industrielles : -40 à +85 °C
Technologie SLC (Single-Level Cell).
Organisation
Densité : 1 Go/128 Mo
Taille de page
2 112 octets (2 048 + 64 octets)
Taille de bloc
64 pages (128 K + 4 K octets)
Hautes performances
Performances de lecture (max.)
Lecture aléatoire : 25 us
Cycle de lecture séquentiel : 25 ns
Performances d'effacement d'écriture
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)
Conservation des données pendant 10 ans
Jeu de commandes
Jeu de commandes NAND standard
Prise en charge de commandes supplémentaires
Copie arrière
Consommation électrique la plus faible
Lecture : 25 mA (typ. 3 V),
Programmation/effacement : 25 mA (typ. 3V),
Veille CMOS : 10 uA (typ.)
Emballage à gain de place
TSOP1 standard à 48 broches
VFBGA 48 billes
VFBGA 63 billes
Mémoire Flash NAND SLC 1 Gb avec taille de page 2 ko + 64 B.
Largeur de bus : x8
Lecture aléatoire : 25 us
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Lecture aléatoire : 25 us
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Taille mémoire | 1Gbit |
| Type d'interface | Parallèle |
| Type de boîtier | VFBGA |
| Nombre de broches | 63 |
| Configuration | 128M x 8 bits |
| Type de montage | CMS |
| Type de cellule | NAND SLC |
| Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2,7 V |
| Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 3,6 V |
| Organisation des blocs | Symétrique |
| Longueur | 11.1mm |
| Hauteur | 0.6mm |
| Largeur | 9.1mm |
| Dimensions | 11.1 x 9.1 x 0.6mm |
| Série | W29N |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
| Température d'utilisation maximum | +85 °C |
| Nombre de mots | 128M |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 25µs |
| Nombre de bits par mot | 8bit |