Mémoire flash, 4Gbit, 512M x 8 bits, Parallèle, VFBGA, 63 broches

Densité : 4 Gbit (solution à puce unique)
Vcc : 2,7 à 3,6 V.
Largeur du bus : x8
Température d'utilisation
Applications industrielles : -40 à +85 °C
Technologie SLC (Single-Level Cell).
Organisation
Densité : 4G-bit/512M-octet
Taille de page
2 112 octets (2 048 + 64 octets)
Taille de bloc
64 pages (128 K + 4 K octets)
Hautes performances
Performances de lecture (max.)
Lecture aléatoire : 25 us
Cycle de lecture séquentiel : 25 ns
Performances d'effacement d'écriture
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)
Conservation des données pendant 10 ans
Jeu de commandes
Jeu de commandes NAND standard
Prise en charge de commandes supplémentaires
Lecture séquentielle du cache
Lecture aléatoire de la mémoire cache
Programme de cache
Copie arrière
Fonctionnement en deux plans
Contact Winbond pour la fonction OTP
Contact Winbond pour la fonction de verrouillage de bloc
Consommation électrique la plus faible
Lecture : 25 mA (typ.)
Programmation/effacement : 25 mA (typ.)
Veille CMOS : 10 uA (typ.)
Emballage à gain de place
TSOP1 standard à 48 broches
VFBGA 63 billes

Mémoire Flash NAND SLC de 4 Gb avec taille de page 2 ko + 64 B uniforme.

Largeur de bus : x8
Lecture aléatoire : 25 us
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Prise en charge de la zone de mémoire OTP